您好,欢迎进入开云体育官网!

开云体育咨询热线

您的位置: 主页 > 新闻中心 > 常见问题 >

开云体育:新兴存储将改变行业对不同新兴存储的看法

发布日期:2022-10-30 12:40:21浏览次数:

  ,如果他们不想被这种转变抛在后面的话。SoC 的设计人员和用户已经将这些新的非易失性存储器整合到前沿设计中,以实现更具竞争力的功耗和系统响应能力。采用这种方法的人将享有巨大的市场优势。

  通过取代包括 NOR 闪存、SRAMDRAM在内的现有技术,新兴内存市场最初将增长到 440 亿美元的水平。新存储器将取代微控制器、ASIC甚至计算处理器中的独立存储器芯片和嵌入式存储器,之后它们将成长为自己的新市场。

  “所有类型系统的设计人员都发现新兴存储器提供了以前无法获得的新优势,”ObjecTIve Analysis 总经理 Jim Handy 说。“随着新的嵌入式存储器类型降低功耗,物联网将发生革命性变化。更大的系统已经在改变其架构以采用持久内存来改善延迟和数据完整性。”

  该报告解释了独立 MRAM 和 STT-RAM 收入将如何增长到约 14 亿美元,或 2021 年独立 MRAM 收入的 30 倍以上。与此同时,嵌入式 ReRAM 和 MRAM 将竞争取代 SoC 中的大部分嵌入式 NOR 和 SRAM,从而推动更大的收入增长。

  Coughlin 博士补充说:“许多新兴内存类型需要新工具来支持不同的材料和工艺,这将为资本设备市场提供增长动力。”他指出,行业向新兴内存技术的迁移将启动坚实的基础。资本设备支出增加。“到 2032 年,MRAM 制造设备的总收入将增长到 2021 年总收入的 49 倍以上,达到约 15 亿美元。”

  当前的存储器技术,包括闪存(NAND 和 NOR)、DRAM 和 SRAM,在其持续改进方面面临潜在的技术限制。因此,人们努力开发新的存储技术。这些新技术大多采用非易失性存储器技术,可用于长期存储或提供不通电时不丢失信息的存储器。这为电池和环境供电设备以及数据中心的节能提供了优势。 如大家所了解,常规的新兴存储器包括 PCM、RRAM、FRAM、MRAM、STT MRAM 和各种不太主流的技术,例如碳纳米管。根据当前的发展水平和这些技术的特点,电阻式 RAM (RRAM) 似乎是闪存的潜在替代品。但是,闪存具有几代技术,在需要更换之前将实施这些技术。因此,这种转变最早要到下一个十年才会完全发生。

  美光和英特尔推出 3D XPoint Memory,这种技术具有高耐用性,性能比 NAND 好得多,虽然比 DRAM 慢一些,但密度比 DRAM 高;正在影响对 DRAM 的需求。英特尔于 2017 年推出了采用其 Optane 技术(使用 3D XPoint)的 NVMe SSD,并于 2019 年开始出货 DIMM-Optane 模块,3D XPoint 使用一种相变技术。但目前似乎无论是美光还是英特尔,在上面都比较消极,甚至放弃了。

  磁性 RAM (MRAM) 和自旋隧道扭矩 RAM (STT MRAM) 开始取代 sNOR、SRAM 和可能的 DRAM。STT MRAM 和 MRAM 能力的发展速度将导致价格逐渐降低,而用高速和高耐用性非易失性存储器取代易失性存储器的吸引力使得这些技术非常具有竞争力,假设它们的体积增加以降低生产成本(因此购买价格)。

  铁电 RAM (FRAM) 和一些 RRAM 技术有一些利基应用,并且随着 HfO FRAM 的使用,可用于 FRAM 的利基市场数量可能会增加。

  迁移到非易失性固态主存储器和高速缓存将直接降低功耗,并启用新的省电模式,提供更快的断电恢复,并实现更稳定的计算机架构,即使在断电时也能保持其状态。最终,使用自旋而不是电流进行逻辑处理的自旋电子技术可用于制造未来的微处理器。基于自旋的逻辑可以实现非常高效的内存处理。 将非易失性技术用作与 CMOS 逻辑相结合的嵌入式存储器在电子工业中具有重要意义。

  作为多晶体管SRAM 的替代品,STT MRAM 可以减少晶体管的数量,从而提供低成本、高密度的解决方案。许多企业和消费类设备使用 MRAM 作为嵌入式高速缓存存储器,所有主要的代工公司都在 SoC 产品中提供 MRAM 作为嵌入式存储器。

  STT MRAM 的出现加速了这一趋势并允许更高的容量。由于 MRAM 和 STT-RAM 工艺与传统 CMOS 工艺的兼容性,这些存储器可以直接构建在 CMOS 逻辑晶片之上,也可以在 CMOS 制造过程中结合使用。闪存与传统 CMOS 的兼容性不同。与 SRAM 相比,非易失性和更简单的 MRAM 和 STT MRAM 的功率节省是显着的。随着 MRAM 美元/GB 的成本接近 SRAM,这种替代可能会导致显着的市场扩张。

  声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删。侵权投诉

  应用深度和广度双突破。据研究数据显示,截止到2021年6月,国内5G基站一共开通81.9万个,预计21年下半年5G基站建设

  Phison不是属于显山露水的公司,但是作为一家出货数百万SSD主控的厂商,其对于

  值得我们关注。TechRadar采访的是Sebastien Jean(Senior

  遵循着摩尔定律,每 18 个月集成度提升 1 倍,意味着性能提升 1 倍,而单位价格却下降一半。 信息

  的内存技术被开发出来。闪存的制程难以扩展到 40nm以下。据Yole估计,在这十年的上半期,相变

  器(PCM)、磁RAM(MRAM)和电阻RAM(ReRAM)将在市场上产生重大影响,其制程为22nm,几何形状更精细。

  曾经是一个几乎无限制、未开发的市场,不断上演着创新、风险投资和利润丰厚的退出。如今它躲在昔日的阴影下,数据中心

  前言:实现硬件方面的复兴,才能充分挖掘人工智能时代的潜力。在性能、功耗和密度(面积/成本)方面得到显著改善的

  不再是使用寿命短的低端设备,因为主要供应商都将精力集中在最新和最重要的产品上。随着越来越多的智能设备和融合了AI的边缘计算以及呈指数增长的物联网,持久可能是这些根深蒂固的记忆的更好标签

  的记忆已经存在了数十年。尽管有些人已经发现嵌入式技术在商业上取得了一定程度的成功,但它们也落后于离散

  器的高性价比替代方案。尽管具有更高的性能,耐用性和保留性,或者降低了功耗。 磁阻

  产业来说意味着新起点和挑战。在此背景下,企业必须做到以前瞻性视角洞见产业发展趋势,与

  产业来说意味着新起点和挑战。在此背景下,企业必须做到以前瞻性视角洞见产业发展趋势,与

  的内存技术已经出现了数十年,它们已经达到了一个临界点,在更多的应用中它们才有意义。 到2029年,

  器市场的总收入有望达到200亿美元,这主要是通过取代如今效率较低的NOR闪存和SRAM等

  器产品的重要关键,包括测试和验证设备性能以及在制造后一次在晶圆和设备级别进行质量控制测试。

  近几年,随着图像识别、自然语言处理等 AI 技术以及 5G、物联网、云计算等

  大量数据保持在处理器附近,而不会导致SRAM和DRAM的高成本或功耗。大多数都是非易失性的,例如SSD内的NAND闪存,并且比连接NVMe的固态驱动器快得多。 在这

  器中发展较为成熟,2018年主要供应商Everspin营收可望年增36%,2019~2020年以后,随GlobalFoundries、台积电、三星、联电等晶圆代工厂商逐步

  但实际上还有很多事情需要解决,如将不同的材料引入晶圆厂总是需要小心,因为这可能会增加采用成本。这就是为什么还有基于更熟悉的材料的非易失性

  产业的崛起,家电市场被重重瓜分,面对市场资源的重组,传统企业不得不思考,未来发展方向

  是在云计算(cloudcomputing)概念上延伸和发展出来的一个新的概念,是一种

  技术,因为它有可能对逻辑空间产生巨大的颠覆性,在硬件和软件平台层面也是如此。“有各种类型的电阻式RAM和磁性RAM出现,TSMC最近就制造了一种嵌入式ReRAM,而类似

  电缆高质量的理念,通过对生产高质量、研发高质量、营销高质量、传播高质量等方面的全面布局,誓

  主要面对的是Cloud、Big Data和AI这些大规模数据应用场景。传统

  器已经蛰伏待机了几十年,以寻求适合其自身特点的应用机会,今天看来它们的机会线

  类型中,有一些已经批量生产了,且这些芯片也带来了较好的销售收入。随着先进的逻辑处理制程节点驱动复杂的处理器和ASIC采用

  是在云计算(cloud computing)概念上延伸和发展出来的一个新的概念,是一种

  器,最主要包括相变半导体(Phase Change Memory;PCM)、可变电阻式

  我们生活的突破性技术。这些技术由科学家与专家小组精挑细选,有可能彻底颠覆根深蒂固的实践,甚至震动各个

  (NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市场环境 相变

  在IT基础设施预算中占据了越来越大的份额,随着物联网、大数据和人工智能的发展,这种趋势只会一直持续下去。这也正是为什么我们需要新的技术,来改善我们的

  战场》的报告称,物联网正在快速发展。市场研究机构Gartner曾预测,到2020年全球

  拥有250亿个联网设备,并带来3000亿美元的利润。该报告介绍了物联网的五个

  技术不受工程师欢迎? 科技产业的全球化趋势让许多地理区域独有的优势越来越不显着;但各地工程师对于各类技术的


开云体育

Copyright 2005-2016 开云体育官网 版权所有
本站程序界面、源代码受相关法律保护,未经授权,严禁使用
备案号:冀ICP备15028837号网站地图

扫一扫咨询开云体育下载客服